图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 CPH6443 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 35V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 37 mOhm @ 3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 10nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 470pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6CPH |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 35 V |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| RDS -于 | 37@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 典型下降时间 | 22 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 0.9 |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 37@10V |
| 最大漏源电压 | 35 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 1.6 |
| 供应商封装形式 | CPH |
| 包装长度 | 2.9 |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 6 |
| 引脚数 | 6 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Ta) |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-CPH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 37 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 35V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 470pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6 A |
| RDS（ON） | 37 mOhms |
| 功率耗散 | 1.6 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 35 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 35V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 470pF @ 20V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 37 mOhm @ 3A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 功率 - 最大值 | 1.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 470 pF @ 20 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.9mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 37 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最大功率耗散 | 1.6 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm |
| 最大漏源电压 | 35 V |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns |
| 封装类型 | CPH |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 35 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 37 mOhms |
| 系列 | CPH6443 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| 技术 | Si |
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